Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

SIHG039N60E-GE3 Datasheet

SIHG039N60E-GE3 Datasheet
Totale pagine: 9
Dimensioni: 180,26 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: SIHG039N60E-GE3
SIHG039N60E-GE3 Datasheet Pagina 1
SIHG039N60E-GE3 Datasheet Pagina 2
SIHG039N60E-GE3 Datasheet Pagina 3
SIHG039N60E-GE3 Datasheet Pagina 4
SIHG039N60E-GE3 Datasheet Pagina 5
SIHG039N60E-GE3 Datasheet Pagina 6
SIHG039N60E-GE3 Datasheet Pagina 7
SIHG039N60E-GE3 Datasheet Pagina 8
SIHG039N60E-GE3 Datasheet Pagina 9
SIHG039N60E-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

E

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

63A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 32A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

126nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4369pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

357W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

Pacchetto / Custodia

TO-247-3