SIA915DJ-T1-GE3 Datasheet
SIA915DJ-T1-GE3 Datasheet
Totale pagine: 9
Dimensioni: 263,48 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SIA915DJ-T1-GE3
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 87mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 275pF @ 15V Potenza - Max 6.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SC-70-6 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Dual |
