SIA907EDJT-T1-GE3 Datasheet
SIA907EDJT-T1-GE3 Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 272,94 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SIA907EDJT-T1-GE3
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 7.8W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SC-70-6 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Dual |
