SI8901EDB-T2-E1 Datasheet
SI8901EDB-T2-E1 Datasheet
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Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SI8901EDB-T2-E1
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-MICRO FOOT®CSP Pacchetto dispositivo fornitore 6-Micro Foot™ (2.36x1.56) |
