SI8441DB-T2-E1 Datasheet
SI8441DB-T2-E1 Datasheet
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Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SI8441DB-T2-E1
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V Vgs (massimo) ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-Micro Foot™ (1.5x1) Pacchetto / Custodia 6-UFBGA |
