SI8439DB-T1-E1 Datasheet
SI8439DB-T1-E1 Datasheet
Totale pagine: 11
Dimensioni: 247,58 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SI8439DB-T1-E1
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 4-Microfoot Pacchetto / Custodia 4-UFBGA |
