SI8417DB-T2-E1 Datasheet
SI8417DB-T2-E1 Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 118,66 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SI8417DB-T2-E1
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2220pF @ 6V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.9W (Ta), 6.57W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-Micro Foot™ (1.5x1) Pacchetto / Custodia 6-MICRO FOOT®CSP |
