SI7972DP-T1-GE3 Datasheet
SI7972DP-T1-GE3 Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 173,52 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SI7972DP-T1-GE3
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 30V Potenza - Max 22W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual |
