SI5855CDC-T1-E3 Datasheet
SI5855CDC-T1-E3 Datasheet
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Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SI5855CDC-T1-E3
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Produttore Vishay Siliconix Serie LITTLE FOOT® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 144mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 276pF @ 10V Funzione FET Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta), 2.8W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™ Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead |
