SI5448DU-T1-GE3 Datasheet
SI5448DU-T1-GE3 Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 159,69 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SI5448DU-T1-GE3
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.75mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V Vgs (massimo) +20V, -16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 31W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® ChipFet Single Pacchetto / Custodia PowerPAK® ChipFET™ Single |
