SI4286DY-T1-GE3 Datasheet
SI4286DY-T1-GE3 Datasheet
Totale pagine: 9
Dimensioni: 189,66 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SI4286DY-T1-GE3
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 32.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 375pF @ 20V Potenza - Max 2.9W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
