SI4010DY-T1-GE3 Datasheet
SI4010DY-T1-GE3 Datasheet
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Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SI4010DY-T1-GE3
Vishay Siliconix Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 31.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V Vgs (massimo) +20V, -16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3595pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 6W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |