SI3434DV-T1-GE3 Datasheet
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 6.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 1mA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.14W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 6.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 1mA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.14W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
