SI1303EDL-T1-E3 Datasheet
SI1303EDL-T1-E3 Datasheet
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Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SI1303EDL-T1-E3
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Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 670mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 290mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-3 Pacchetto / Custodia SC-70, SOT-323 |
