SI1077X-T1-GE3 Datasheet
SI1077X-T1-GE3 Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 167,91 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
SI1077X-T1-GE3
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31.1nC @ 8V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 965pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 330mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SC-89-6 Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 |
