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SI1011X-T1-GE3 Datasheet

SI1011X-T1-GE3 Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 160,86 KB
Vishay Siliconix
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: SI1011X-T1-GE3
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SI1011X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

640mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

62pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

190mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-89-3

Pacchetto / Custodia

SC-89, SOT-490