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RTM002P02T2L Datasheet

RTM002P02T2L Datasheet
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Rohm Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: RTM002P02T2L
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RTM002P02T2L

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

150mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

VMT3

Pacchetto / Custodia

SOT-723