RSH100N03TB1 Datasheet
RSH100N03TB1 Datasheet
Totale pagine: 4
Dimensioni: 167,71 KB
Rohm Semiconductor
Sito web: https://www.rohm.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
RSH100N03TB1
|
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1070pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta) Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
