RSD221N06TL Datasheet
RSD221N06TL Datasheet
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Rohm Semiconductor
Sito web: https://www.rohm.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
RSD221N06TL
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 850mW (Ta), 20W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore CPT3 Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
