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RP1A090ZPTR Datasheet

RP1A090ZPTR Datasheet
Totale pagine: 6
Dimensioni: 167,03 KB
Rohm Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: RP1A090ZPTR
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RP1A090ZPTR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7400pF @ 6V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

MPT6

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads