RN1101MFV Datasheet
RN1101MFV Datasheet
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Toshiba Semiconductor and Storage
Sito web: http://www.toshiba.com/taec/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
RN1101MFV,L3F
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione - Potenza - Max 150mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore VESM |
