RJK6032DPH-E0#T2 Datasheet
RJK6032DPH-E0#T2 Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 93,87 KB
Renesas Electronics America
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
RJK6032DPH-E0#T2
|
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 285pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 40.3W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-251 Pacchetto / Custodia TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
