RJK6032DPD-00#J2 Datasheet
RJK6032DPD-00#J2 Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 90,8 KB
Renesas Electronics America
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
RJK6032DPD-00#J2
|
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 285pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 40.3W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore MP-3A Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
