RJK6018DPM-00#T1 Datasheet
RJK6018DPM-00#T1 Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 77,43 KB
Renesas Electronics America
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
RJK6018DPM-00#T1
|
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-3PFM Pacchetto / Custodia TO-3PFM, SC-93-3 |
