RJK2555DPA-00#J0 Datasheet
RJK2555DPA-00#J0 Datasheet
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Renesas Electronics America
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
RJK2555DPA-00#J0
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Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 104mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-WPAK Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN |
