Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

RJK0629DPE-00#J3 Datasheet

RJK0629DPE-00#J3 Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 100,12 KB
Renesas Electronics America
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: RJK0629DPE-00#J3
RJK0629DPE-00#J3 Datasheet Pagina 1
RJK0629DPE-00#J3 Datasheet Pagina 2
RJK0629DPE-00#J3 Datasheet Pagina 3
RJK0629DPE-00#J3 Datasheet Pagina 4
RJK0629DPE-00#J3 Datasheet Pagina 5
RJK0629DPE-00#J3 Datasheet Pagina 6
RJK0629DPE-00#J3 Datasheet Pagina 7
RJK0629DPE-00#J3

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

85A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 43A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

100W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

4-LDPAK

Pacchetto / Custodia

SC-83