RJK0603DPN-E0#T2 Datasheet
RJK0603DPN-E0#T2 Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 77,01 KB
Renesas Electronics America
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
RJK0603DPN-E0#T2
|
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4150pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
