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R6046ANZC8 Datasheet

R6046ANZC8 Datasheet
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Rohm Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: R6046ANZC8
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R6046ANZC8

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

46A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

81mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

120W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack