R6007ENJTL Datasheet
R6007ENJTL Datasheet
Totale pagine: 14
Dimensioni: 2.364,14 KB
Rohm Semiconductor
Sito web: https://www.rohm.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
R6007ENJTL
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Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 620mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore LPTS (D2PAK) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
