R1RW0416DGE-2PR#B0 Datasheet
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Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM Dimensione della memoria 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 12ns Tempo di accesso 12ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 44-SOJ |
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM Dimensione della memoria 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 12ns Tempo di accesso 12ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 44-TSOP II |
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM Dimensione della memoria 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 12ns Tempo di accesso 12ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 44-TSOP II |
