Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

QS5U13TR Datasheet

QS5U13TR Datasheet
Totale pagine: 11
Dimensioni: 896,92 KB
Rohm Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: QS5U13TR
QS5U13TR Datasheet Pagina 1
QS5U13TR Datasheet Pagina 2
QS5U13TR Datasheet Pagina 3
QS5U13TR Datasheet Pagina 4
QS5U13TR Datasheet Pagina 5
QS5U13TR Datasheet Pagina 6
QS5U13TR Datasheet Pagina 7
QS5U13TR Datasheet Pagina 8
QS5U13TR Datasheet Pagina 9
QS5U13TR Datasheet Pagina 10
QS5U13TR Datasheet Pagina 11
QS5U13TR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 10V

Funzione FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max)

1.25W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TSMT5

Pacchetto / Custodia

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5