QJD1210010 Datasheet
QJD1210010 Datasheet
Totale pagine: 7
Dimensioni: 509,97 KB
Powerex Inc.
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
QJD1210010
|
Produttore Powerex Inc. Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss) 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 500nC @ 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10200pF @ 800V Potenza - Max 1080W Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
