PMV280ENEAR Datasheet
PMV280ENEAR Datasheet
Totale pagine: 16
Dimensioni: 726,21 KB
Nexperia
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
PMV280ENEAR
|
Produttore Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 385mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 50V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 580mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
