PMPB55ENEAX Datasheet
PMPB55ENEAX Datasheet
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Nexperia
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
PMPB55ENEAX
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 30V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.65W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DFN2020MD-6 Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad |
