PMH950UPEH Datasheet
PMH950UPEH Datasheet
Totale pagine: 14
Dimensioni: 267,17 KB
Nexperia
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
PMH950UPEH
|
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 530mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 0.95V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.5nC @ 4V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 36pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 370mW (Ta), 2.2W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DFN0606-3 (SOT8001) Pacchetto / Custodia 3-XFDFN |
