PMG85XPH Datasheet
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 375mW (Ta), 2.4W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSSOP Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.15V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 375mW (Ta), 2.4W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSSOP Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
