PMFPB6532UP Datasheet
PMFPB6532UP Datasheet
Totale pagine: 19
Dimensioni: 603,04 KB
NXP
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
PMFPB6532UP,115
|
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 10V Funzione FET Schottky Diode (Isolated) Dissipazione di potenza (max) 520mW (Ta), 8.3W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DFN2020-6 Pacchetto / Custodia 6-UDFN Exposed Pad |
