PDTB123YT Datasheet
PDTB123YT Datasheet
Totale pagine: 11
Dimensioni: 234,87 KB
Nexperia
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
PDTB123YT,215
|
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor PNP - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max) 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione - Potenza - Max 250mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB |
