P1086_D75Z Datasheet
ON Semiconductor Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 10V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 15V Resistenza - RDS (On) 75 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
ON Semiconductor Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 10V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 15V Resistenza - RDS (On) 75 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
ON Semiconductor Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 10V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 15V Resistenza - RDS (On) 75 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |