NXPSC04650Q Datasheet
NXPSC04650Q Datasheet
Totale pagine: 10
Dimensioni: 229,88 KB
WeEn Semiconductors
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
NXPSC04650Q
|
Produttore WeEn Semiconductors Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 650V Corrente - Media Rettificata (Io) 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 4A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 170µA @ 650V Capacità @ Vr, F 130pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione 175°C (Max) |
