NVMYS011N04CTWG Datasheet
NVMYS011N04CTWG Datasheet
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ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
NVMYS011N04CTWG
ON Semiconductor Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta), 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.9nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 28W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 4-LFPAK Pacchetto / Custodia SOT-1023, 4-LFPAK |