NTTFS4824NTWG Datasheet
|
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.3A (Ta), 69A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 11.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2363pF @ 12V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 660mW (Ta), 46.3W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.3A (Ta), 69A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 11.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2363pF @ 12V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 660mW (Ta), 46.3W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN |
