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NTMTS0D6N04CLTXG Datasheet

NTMTS0D6N04CLTXG Datasheet
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ON Semiconductor
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NTMTS0D6N04CLTXG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

554.5A

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.42mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

126nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

16013pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-