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NTMTS001N06CTXG Datasheet

NTMTS001N06CTXG Datasheet
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ON Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1: NTMTS001N06CTXG
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NTMTS001N06CTXG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

53.7A (Ta), 376A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.91mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

113nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8705pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

5W (Ta), 244W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFNW (8.3x8.4)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN