NP83P04PDG-E1-AY Datasheet
NP83P04PDG-E1-AY Datasheet
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Renesas Electronics America
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
NP83P04PDG-E1-AY
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Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 83A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 41.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9820pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 150W (Tc) Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
