NP82N04NUG-S18-AY Datasheet
NP82N04NUG-S18-AY Datasheet
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Renesas Electronics America
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
NP82N04NUG-S18-AY
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Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 82A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 41A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9750pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta), 143W (Tc) Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-262 Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
