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NLAS5123MUR2G Datasheet

NLAS5123MUR2G Datasheet
Totale pagine: 10
Dimensioni: 149,56 KB
ON Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 2: NLAS5123MUR2G, NLAS5123MNR2G
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NLAS5123MUR2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Circuito interruttore

SPDT

Circuito multiplexer / demultiplexer

2:1

Numero di circuiti

1

Resistenza allo stato attivo (max)

1Ohm

Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)

120mOhm

Tensione - Alimentazione, Singola (V +)

1.65V ~ 4.5V

Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)

-

Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

20ns, 15ns

-3db Larghezza di banda

55MHz

Iniezione di carica

48pC

Capacità canale (CS (off), CD (off))

20pF

Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)

2nA

Crosstalk

-70dB @ 1MHz

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Pacchetto / Custodia

6-UFDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

6-UDFN (1.2x1)

NLAS5123MNR2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Circuito interruttore

SPDT

Circuito multiplexer / demultiplexer

2:1

Numero di circuiti

1

Resistenza allo stato attivo (max)

1Ohm

Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)

120mOhm

Tensione - Alimentazione, Singola (V +)

1.65V ~ 4.5V

Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)

-

Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

20ns, 15ns

-3db Larghezza di banda

55MHz

Iniezione di carica

48pC

Capacità canale (CS (off), CD (off))

20pF

Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)

2nA

Crosstalk

-70dB @ 1MHz

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Pacchetto / Custodia

6-WFDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

6-WDFN (1.2x1.0)