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NLAS3799MNR2G Datasheet

NLAS3799MNR2G Datasheet
Totale pagine: 11
Dimensioni: 163,43 KB
ON Semiconductor
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 2: NLAS3799MNR2G, NLAS3799LMNR2G
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NLAS3799MNR2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Circuito interruttore

DPDT

Circuito multiplexer / demultiplexer

2:2

Numero di circuiti

2

Resistenza allo stato attivo (max)

400mOhm

Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)

50mOhm (Max)

Tensione - Alimentazione, Singola (V +)

1.65V ~ 3.6V

Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)

-

Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

50ns, 30ns

-3db Larghezza di banda

19MHz

Iniezione di carica

42pC

Capacità canale (CS (off), CD (off))

3pF

Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)

500nA

Crosstalk

-90dB @ 100kHz

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Pacchetto / Custodia

16-WFQFN

Pacchetto dispositivo fornitore

16-WQFN (1.8x2.6)

NLAS3799LMNR2G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Circuito interruttore

DPDT

Circuito multiplexer / demultiplexer

2:2

Numero di circuiti

2

Resistenza allo stato attivo (max)

400mOhm

Corrispondenza da canale a canale (ΔRon)

50mOhm (Max)

Tensione - Alimentazione, Singola (V +)

1.65V ~ 3.6V

Tensione - Alimentazione, doppia (V ±)

-

Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max)

50ns, 30ns

-3db Larghezza di banda

19MHz

Iniezione di carica

42pC

Capacità canale (CS (off), CD (off))

3pF

Corrente - Perdita (IS (off)) (Max)

500nA

Crosstalk

-90dB @ 100kHz

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Pacchetto / Custodia

16-WFQFN

Pacchetto dispositivo fornitore

16-WQFN (1.8x2.6)