NGTB30N120IHSWG Datasheet
NGTB30N120IHSWG Datasheet
Totale pagine: 8
Dimensioni: 167,77 KB
ON Semiconductor
Sito web: http://www.onsemi.com/
Questa scheda tecnica copre i numeri di parte di 1:
NGTB30N120IHSWG
|
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A Potenza - Max 192W Switching Energy 1mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 220nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C -/210ns Condizione di test 600V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 |
