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NDUL09N150CG Datasheet

NDUL09N150CG Datasheet
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ON Semiconductor
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NDUL09N150CG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

114nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2025pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 78W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF-3

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack